SDRAM CAS# Latency（SDRAM CAS#延迟）

项控制在SDRAM接受并开始读指令后的延迟时间(在时钟周期内) 的。设定值为：2, 2.5, 3.0 (clocks)。值越小则性能越强！但是稳定性相对下降！

DRAM RAS＃ Precharge（Precharge命令延时）

本项目控制当SDREM送出Precharge命令后，多少时间内不再送出命令。设定值有：4，3，2(clocks)

RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟）

当DRAM 刷新后，所有的行列都要分离寻址。此项设定允许您决定从RAS (行地址滤波) 转换到CAS (列地址滤波)的延迟时间。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有：4，3，2(clocks)

DRAM precharge Delay（脉冲周期）

这个设置是用来控制提供给SDRAM参数使用的SDRAM时钟周期！设定值有：8，7，6，5，(clocks)

SDRAM Burst Length（SDRAM爆发存取长度）

此设置允许你设置DRAM爆发存取长度的大小。爆发特征是DRAM在获得第一个地址后自己预测下一个存取内存位置的技术。使用此特性，你必须要定义爆发长度，也就是开始地址爆发脉冲的实际长度。同时允许内部地址计数器能正确的产生下一个地址位置。尺寸越大内存越快。设定值： 4，8(clocks)。

AGP Aperture Size (AGP内存分配)

此项用来控制有多少系统内存可分配给AGP卡显示使用。孔径是用于图形内存地址空间一部分PCI内存地址范围。进入孔径范围内的主时钟周期会不经过翻译直接传递给AGP。设定值为：4MB，8MB，16MB，32MB，64MB，128MB，和256 MB。

4.OnBoard Devices Configuration（集成设备设定）

这里是卉理各种主板集成硬件设施的一些选项，用户基本上不用更改其设置！所以在此不再赘叙！如需改动，请查看主板说明书！

5．PCI Pnp（即插即用设备设置）

这里是设置即插即用和PCI的高级设定项目，一般用户不需要改动任何项目，都保持默认就可以了。在进行本设置设定时，不正确的数值将导致系统损坏！

6.USB Configuration（USB装置设置）

USB端口装置设定，大家一看就明白，无须多讲！只是那个传输模式里面有个FullSpeed和HiSpeed，如果大家是USB2.0的就把它设置成HiSpeed，FullSpeed是模拟高速传输，没有HiSpeed的快！